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作者:an888    发布于:2024-08-05 13:04    文字:【】【】【

  万向招商客服主页!「卧龙注册」!主页?万向注册=登录首页1.一种由玻璃组合物形成的强化玻璃制品,该玻璃组合物包含小于1.0摩尔%的R

  中R为碱金属离子,其中该强化玻璃制品在30GHz具有小于6.25的介电常数和小于0.01的介

  2.如权利要求1所述的强化玻璃制品,其中该强化玻璃制品在25℃具有自1.0至1.5W/

  3.如权利要求1或权利要求2所述的强化玻璃制品,其中该强化玻璃制品在30GHz具有

  4.如任一前述权利要求所述的强化玻璃制品,其中该强化玻璃制品在30GHz具有自

  5.如任一前述权利要求所述的强化玻璃制品,其中该玻璃组合物选自下组:硅酸盐玻

  璃组合物、硼酸盐玻璃组合物、磷酸盐玻璃组合物、铝酸盐玻璃组合物、锗酸盐玻璃组合物

  6.如任一前述权利要求所述的强化玻璃制品,其中该玻璃组合物包含小于0.1摩尔%

  7.如任一前述权利要求所述的强化玻璃制品,其中该玻璃组合物不含碱金属离子。

  8.如任一前述权利要求所述的强化玻璃制品,其中该玻璃制品通过热回火或机械强化

  10.如权利要求9所述的电子装置,其中该强化玻璃制品设置为与至少一个波层直接相

  至少部分位于该外壳内的电子组件,该电子组件包含控制器、存储器及显示器,该显示

  其中该外壳的一部分或该覆盖基板中的至少一者包含如任一前述权利要求所述的强

  12.如权利要求11所述的消费电子产品,其中该外壳的一部分包含该强化玻璃制品,其

  采用热回火或机械强化工艺来强化该玻璃制品,从而形成强化玻璃制品,其中该强化

  玻璃制品在30GHz具有小于6.25的介电常数和小于0.01的介电损耗正切。

  14.如权利要求13所述的方法,其中该强化玻璃制品在25℃具有自1.0至1.5W/m*K的热

  15.如权利要求13或权利要求14所述的方法,其中该强化玻璃制品在30GHz具有自2至6

  16.如权利要求13‑15中任意一项所述的方法,其中该强化玻璃制品在30GHz具有自

  17.如权利要求13‑16中任意一项所述的方法,其中该玻璃组合物选自下组:硅酸盐玻

  璃组合物、硼酸盐玻璃组合物、磷酸盐玻璃组合物、铝酸盐玻璃组合物、锗酸盐玻璃组合物

  18.如权利要求13‑17中任意一项所述的方法,其中该玻璃组合物不含碱金属离子。

  19.如权利要求13‑18中任意一项所述的方法,其中该玻璃组合物包含小于5摩尔%的

  20.如权利要求13‑19中任意一项所述的方法,其中该强化玻璃制品设置为与至少一个

  波层直接相邻并接触,该至少一个波层的介电常数小于该强化玻璃制品的介电常数。

  956,922号的优先权权益,本申请以其内容为基础并且其内容以引用的形式全部并入本文。

  本公开总体上涉及强化玻璃制品及其制造方法,更特别地,涉及在30GHz具有低介

  动至20GHz–100GHz范围中的通信带宽。然而,在此波区中很多电子装置中使用的材料具有

  信号的渗透率或透射。然而,所预期的是,常规用于移动电子装置中的玻璃,诸如用于盖和

  因此,需要在20GHz–100GHz,更具体地在25GHz–40GHz的范围内具有低介电常数及

  O,其中R为碱金属离子,其中强化玻璃制品在30GHz具有小于6.25的介电

  品,其中强化玻璃制品在30GHz具有自0.0001至0.01的介电损耗正切。

  品,其中玻璃组合物选自由下列各项所组成的组:硅酸盐玻璃组合物、硼酸盐玻璃组合物、

  化玻璃制品放置为与至少一个波层(wave  layer)直接相邻,波层具有小于强化玻璃制品的

  根据本文揭示的第十三方面,消费电子产品包含:外壳,其包含前表面、背表面及

  侧表面;至少部分地位于外壳内的电子组件,该电子组件包含控制器、存储器及显示器,显

  示器位于外壳的前表面处或与外壳的前表面相邻;以及设置于显示器上方的覆盖基板,其

  品,其中外壳的一部分包含强化玻璃制品,其中强化玻璃制品包含具有较小厚度d

  热回火或机械强化工艺来对玻璃制品进行强化,从而形成强化玻璃制品,其中强化玻璃制

  品在30GHz具有小于6.25的介电常数以和小于0.01的介电损耗正切。

  根据第十六方面,方法包含第十五方面的方法,其中强化玻璃制品在25℃具有自

  物选自由下列各项所组成的组:硅酸盐玻璃组合物、硼酸盐玻璃组合物、磷酸盐玻璃组合

  玻璃制品放置为与至少一个波层直接相邻和接触,波层具有小于强化玻璃制品的介电常数

  征及优点对本领域技术人员而言将由该叙述显而易见或是藉由实践本文中描述的实施方

  保护的实施方式的本质及特性的概述或框架的实施方式。包括附图以提供进一步理解,附

  图并入本说明书并且构成本说明书的一部分。附图说明本文中描述的各种实施方式,并且

  (单位ppm/℃;Y轴)随温度(T)(单位℃;X轴)变化的图线及EXG玻璃显示CTE(单位ppm/℃;Y轴)随温度(T)(单位℃;X

  轴)变化的图线为根据本文中显示及描述的一个或多个实施方式,针对包括样品玻璃3作为芯

  及EXG玻璃作为包层的玻璃层合体显示应力松弛(f(T);Y轴)随温度(单位℃;X轴)变化的图

  及EXG玻璃作为包层的玻璃层合体显示中心张力(CT;单位MPa;Y轴)随温度(单位℃;X轴)变

  ℃;X轴)变化的图线为根据本文中显示及描述的一个或多个实施方式的玻璃制品的横截面图;

  图12为针对在0至55GHz的频率范围上具有2.7的介电常数的基板的透射(虚线)及

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